高频区熔晶体生长炉是山东山大华特科技股份有限公司与山东大学材料科学与工程学院的最新研究成果，该装置填补了我国晶体浮法生长工艺的空白，是继乌克兰之后唯一能够掌握这项技术的国家之一。在晶体生长设备中，该装置技术特性优越，不仅是高质量晶体生长的关键设备，也是晶体材料进一步提纯的最佳技术手段，采取这种工艺，能使晶体材料的纯度达到99.999%。
设备组成
该设备由高密封性炉体、三维动作机械传动装置、真空系统、伺服驱动电源和伺服电机、高频电源、远红外双比色测温仪、液态金属成像系统构成。
性能特点
高频区熔晶体生长炉在真空、氩气、氮气和还原性气分保护下工作，周期性作业。
该设备温度可达3500℃，真空度可达到6.67×10-3Pa，具有单晶生长速度快、晶体截面大、控制技术先进等特点，可广泛应用于半导体材料、电子发射阴极材料的制备和提纯。
电器控制系统精选进口电气元件及测量元件，控制柜设有人机界面、触摸屏控制系统，可通过PLC编程对操作参数和运行过程进行控制。
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